SK海力士HBM混合键合技术开发遇阻 三星或在下一代高带宽内存竞争中暂时领先

据韩国业内人士透露,全球高带宽内存(HBM)市场领导者SK海力士在混合键合(Hybrid Bonding)技术研发方面正遭遇挑战,其进展可能已经落后于主要竞争对手三星电子。消息称,目前SK海力士尚未开始基于混合键合技术的HBM样品生产,而三星则据称已经向客户送出采用该技术制造的HBM样品。 阅读

据韩国业内人士透露,全球高带宽内存(HBM)市场领导者SK海力士在混合键合(Hybrid Bonding)技术研发方面正遭遇挑战,其进展可能已经落后于主要竞争对手三星电子。消息称,目前SK海力士尚未开始基于混合键合技术的HBM样品生产,而三星则据称已经向客户送出采用该技术制造的HBM样品。

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